環中科技股份有限公司

隨著高階封裝、5G 通訊模組、半導體測試探針卡及微細化電子元件技術快速發展，市場對微小精密元件之電鍍品質要求日益提升。然而，現行電鍍製程於微小元件加工時，常因液面波動過大，導致鍍層厚度不均、局部爬鍍、短路及污染等問題，進而影響產品良率與可靠度，尤其於探針卡、RDL 微電極、封裝部件等高精密應用中更為明顯。
經本團隊針對相關產業進行實地訪談與需求調查後發現，業界對於電鍍設備之液面穩定控制具有高度需求，以提升探針卡下緣鍍層均一性與邊界控制能力。同時，業界亦重視避免藥液上爬所造成之局部污染與短路風險，以提升整體電鍍品質與產品可靠性，基於上述產業需求與技術發展趨勢，本計畫擬開發「液面穩流局部電鍍製程」。

✨計畫目標與創新重點

1. 超低液面波動結構設計( 波高＜2mm)：本計畫導入靜置槽、導流牆、溢流槽及多段式流體緩衝結構設計， 藉由液流能量逐層消散機制，有效降低槽體內部流場擾動與液面波動幅度，使液面波高控制於2mm 以下。
2. 局部穩流控制模組：開發小面積定向液體注入與精密流場控制模組，透過流量、流向及液面高度之精準調節，建立穩定且可重複之局部電鍍環境。實現單一部位選擇性電鍍需求，有效降低藥液消耗量，同時提升特殊結構元件之加工彈性與製程控制能力。
3. 模組化設備設計：設備架構採模組化設計理念，可依據不同尺寸、形狀及功能需求之工件快速更換治具與製程單元，縮短換線時間並提升設備利用率。